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第三代
半導(dǎo)體測(cè)試家族
Third generation semiconductor testing family
首頁(yè) 產(chǎn)品中心 半導(dǎo)體測(cè)試 功率器件測(cè)試系統(tǒng)
分類
QT-3101 UIL 雪崩測(cè)試

QT-3101 UIL 雪崩測(cè)試適用于測(cè)試 MOSFET、IGBT、二極管的雪崩參數(shù)



支持雙DIE

快速充電

失效波形保存

鉗壓功能

型號(hào) QT-3101 UIL
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì) ? 支持 VDD ON(E=1/2L*I*I*BVDSS/(BVDSS-VDD))或VDD OFF(E=1/2*L*I*I) 測(cè)試
? 可與 QT-4100B 共用一臺(tái)電腦，實(shí)現(xiàn)測(cè)試程序和數(shù)據(jù)統(tǒng)一管理
? 可設(shè)定單脈沖、多脈沖或者雙 MOSFET 測(cè)試
? 輸出電流IDMAX 實(shí)時(shí)測(cè)量監(jiān)控和Energy讀取
? 電感內(nèi)阻低，ID充電快，測(cè)試時(shí)間更短
? 內(nèi)置示波器
主要特點(diǎn) ? 輸出測(cè)量能力：最大測(cè)量 BVdss:±3000V 最大輸出 ID:±150V 、±200A
? 可編輯 VG MAX:±30V脈寬調(diào)節(jié)（分辨率：1us）
? 可編程電感箱負(fù)載 10μH-159.9mH 步進(jìn) 10μH
? 可編程分選機(jī)接口信號(hào) 24 個(gè)